Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A BSP122.115, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 0,55А, 1,5Вт, SOT223
Цена 0 0 220
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 1
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Поверхностный монтаж
number of outputs 1
package type TO-92 SOT-223 (SC-73)
minimum operating temperature -40 °C -55 °C
width 3.8mm 3.7мм
pin count 3 4
maximum operating temperature +125 °C +150 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case TO-261-4, TO-261AA
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
продукт MOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка Nexperia
упаковка / блок SOT-223-3
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package SOT-223
длина 6.7 mm
length 6.7мм
pd - рассеивание мощности 1.5 W
другие названия товара № BSP122 T/R
количество каналов 1 Channel
base product number BSP122 ->
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single Dual Drain
channel type N
technology MOSFET (Metal Oxide)
transistor configuration Одинарный
maximum drain source voltage 200 V
maximum gate source voltage -20 В, +20 В
id - непрерывный ток утечки 550 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.7 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
maximum continuous drain current 550 мА
transistor material Кремний
maximum gate threshold voltage 2V
maximum drain source resistance 2.5 Ω
channel mode Поднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c 550mA (Ta)
drain to source voltage (vdss) 200V
drive voltage (max rds on, min rds on) 2.4V, 10V
fet type N-Channel
input capacitance (ciss) (max) @ vds 100pF @ 25V
power dissipation (max) 1.5W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 2.5Ohm @ 750mA, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 2V @ 1mA
minimum gate threshold voltage 0.4V
rds on - drain-source resistance 2.5О© @ 750mA,10V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 200V
vgs - gate-source voltage 2V @ 1mA
maximum power dissipation 1,5 Вт
continuous drain current (id) @ 25в°c 550mA
power dissipation-max (ta=25в°c) 1.5W
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль