Сравнение

IXTP08N100P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 0,8А, 42Вт, TO220-3, 750нс
Цена 0 510
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 3
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка IXYS
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия IXTP08N100
длина 10.66 mm
время нарастания 37 ns
время спада 34 ns
pd - рассеивание мощности 42 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 800 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток 20 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 1 kV
vgs - напряжение затвор-исток 20 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 35 ns
типичное время задержки при включении 19 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль