Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805AT-E1 AS7805ADTR-G1 AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A IRLU8743PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 160А, IPAK
Цена 0 0 0 0 0 0 0 0 330
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 0.46
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 1000 2500
input voltage, max: 25 V 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Tube Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-220-3 TO-252-2
number of outputs 1 1 1
minimum operating temperature -40В°C -40 C -40 °C
maximum operating temperature 125В°C +125 C +125 °C
output type Fixed Fixed Fixed
output voltage 5V 3.3 V 5 V
output current 1A
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA 2.5uA 2.5µA
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole Through Hole
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C + 125 C +175 °C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C 40 C -55 °C
выходной ток 50мА 50 mA 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT Through Hole Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated Infineon / IR
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 TO-251-3
серия AP7384 HEXFET
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack Tube
Производитель Infineon
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package IPAK (TO-251)
длина 6.73мм
тип корпуса IPAK (TO-251)
тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
число контактов 3
размеры 6.73 x 2.39 x 6.22мм
series HEXFETВ® ->
pd - рассеивание мощности 135 W
количество каналов 1 Channel
base product number IRLU8743 ->
технология Si
количество элементов на ис 1
максимальное рассеяние мощности 135 W
конфигурация Single
тип канала N
technology MOSFET (Metal Oxide)
transistor configuration Одинарный
id - непрерывный ток утечки 160 A
qg - заряд затвора 59 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 3.9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 21 ns
максимальное сопротивление сток-исток 3 мОм
максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage 2.35V
максимальное напряжение сток-исток 30 V
типичный заряд затвора при vgs 39 nC @ 4.5 V
номер канала Поднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c 160A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 30V
drive voltage (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 59nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 4880pF @ 15V
power dissipation (max) 135W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 3.1mOhm @ 25A, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 2.35V @ 100ВµA
максимальный непрерывный ток стока 160 A
материал транзистора SI
типичное время задержки включения 19 ns
minimum gate threshold voltage 1.35V
категория Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds 4880 пФ при 15 В
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль