Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	MMBFJ211
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	150 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—
mounting type	Through Hole	—	—	—
number of outputs	1	—	—	—
package type	TO-92	—	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—	—
width	3.8mm	—	—	—
pin count	3	—	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—	—
output type	Fixed	—	—	—
output voltage	5 V	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
количество выходов	—	1 Output	1 Output	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C	40 C	55 C
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	Transistors
продукт	—	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	RF JFET
размер фабричной упаковки	—	3000	2000	3000
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	RF JFET Transistors
торговая марка	—	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок	—	SOT-23-3	TO-92-3	SOT-23
серия	—	AP7384	—	MMBFJ211
выходной ток	—	50 mA	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	0.5 %	—
тип выхода	—	Fixed	Fixed	—
выходное напряжение	—	7 V	7 V	—
полярность	—	Positive	Positive	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	40 V	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	—	500 mV	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	60 dB	—
упаковка	—	—	Ammo Pack	—
pd - рассеивание мощности	—	—	—	225 mW
диапазон рабочих температур	—	—	—	55 C to + 150 C
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Single
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	20 mA
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	—	0.006 S to 0.012 S
полярность транзистора	—	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	—	JFET
vds - напряжение пробоя затвор-исток	—	—	—	25 V
напряжение отсечки затвор-исток	—	—	—	4.5 V
максимальное напряжение сток-затвор	—	—	—	25 V