Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70V-A FQD13N06LTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 7А, 28Вт, DPAK, QFET®
Цена 0 0 0 110
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C -55 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C +150 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка Ammo Pack
упаковка / блок TO-92-3
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 1.5
package / case TO-252-3
type MOSFET
factory pack quantity 2500
manufacturer ON Semiconductor
mounting style SMD/SMT
packaging Cut Tape or Reel
product category MOSFET
product type MOSFET
series FQD13N06L
subcategory MOSFETs
configuration Single
fall time 40 ns
rise time 90 ns
number of channels 1 Channel
part # aliases FQD13N06LTM_NL
technology Si
pd - power dissipation 2.5 W
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 115 mOhms
transistor polarity N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 60 V
vgs - gate-source voltage 20 V
id - continuous drain current 11 A
typical turn-on delay time 8 ns
typical turn-off delay time 20 ns
forward transconductance - min 6 S
transistor type 1 N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль