Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 IXFH96N20P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 96А, 600Вт, TO247-3
Цена 0 0 0 1 890
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C +175 °C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C -55 °C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000 30
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated IXYS
упаковка / блок SOT-23-3 TO-247-3
серия AP7384 HiperFET, Polar
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
Производитель IXYS
вес, г 6
упаковка Tube
длина 16.26мм
время нарастания 30 ns
время спада 30 ns
коммерческое обозначение HiPerFET
тип корпуса TO-247
тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
число контактов 3
размеры 16.26 x 5.3 x 21.46мм
pd - рассеивание мощности 600 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
количество элементов на ис 1
максимальное рассеяние мощности 600 W
конфигурация Single
тип канала N
transistor configuration Одинарный
id - непрерывный ток утечки 96 A
qg - заряд затвора 145 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 40 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 75 ns
типичное время задержки при включении 28 ns
максимальное сопротивление сток-исток 24 mΩ
максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage 5V
максимальное напряжение сток-исток 200 В
типичный заряд затвора при vgs 145 нКл при 10 В
номер канала Поднятие
максимальный непрерывный ток стока 96 A
материал транзистора SI
типичное время задержки включения 28 ns
категория Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds 4800 пФ при 25 В
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль