Сравнение

IPA65R650CEXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 7А, 28Вт, TO220FP
Цена 0 330
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 2.14
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 500
тип продукта MOSFET
торговая марка Infineon Technologies
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия CoolMOS CE
длина 10.65 mm
время нарастания 8 ns
время спада 11 ns
коммерческое обозначение CoolMOS
pd - рассеивание мощности 28 W
другие названия товара № IPA65R650CE SP001295804
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 10.1 A
qg - заряд затвора 23 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 650 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 64 ns
типичное время задержки при включении 10 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль