Сравнение

FQPF6N80C, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,2А, 51Вт, TO220FP
Цена 0 480
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 2
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220FP-3
серия FQPF6N80C
длина 10.36 mm
время нарастания 65 ns
время спада 44 ns
коммерческое обозначение QFET
pd - рассеивание мощности 51 W
другие названия товара № FQPF6N80C_NL
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 5.5 A
rds вкл - сопротивление сток-исток 2.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 5.4 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 47 ns
типичное время задержки при включении 26 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль