Сравнение

IXFT60N65X2HV, Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 60А, 780Вт, TО268
Цена 0 2 700
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 4
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 30
тип продукта MOSFET
торговая марка IXYS
упаковка Tube
упаковка / блок TO-268HV-3
чувствительный к влажности Yes
серия 650V Ultra Junction X2
время нарастания 23 ns
время спада 12 ns
коммерческое обозначение HiPerFET
pd - рассеивание мощности 780 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 60 A
qg - заряд затвора 108 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 52 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 23 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 63 ns
типичное время задержки при включении 30 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль