Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7383-44W5-7	IXTQ64N25P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 250В, 64А, 400Вт, TO3P
Цена	0 ₽	0 ₽	1 130 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	—	—
number of outputs	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	—
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—
выходной ток	50мА	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—
package type	SOT-89	—	—
minimum operating temperature	-40 C	—	—
width	2.6mm	—	—
pin count	3+Tab	—	—
maximum operating temperature	+125 C	—	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—
output type	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—
output voltage	3.3 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—
quiescent current	2.5uA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—
вес, г	—	—	5.3
factory pack quantity: factory pack quantity:	—	—	30
manufacturer:	—	—	IXYS
maximum operating temperature:	—	—	+150 C
minimum operating temperature:	—	—	-55 C
mounting style:	—	—	Through Hole
product category:	—	—	MOSFET
product type:	—	—	MOSFET
series:	—	—	IXTQ64N25
subcategory:	—	—	MOSFETs
packaging:	—	—	Tube
package/case:	—	—	TO-3P-3
pd - power dissipation:	—	—	400 W
number of channels:	—	—	1 Channel
technology:	—	—	Si
configuration:	—	—	Single
channel mode:	—	—	Enhancement
id - continuous drain current:	—	—	64 A
qg - gate charge:	—	—	105 nC
rds on - drain-source resistance:	—	—	49 mOhms
transistor polarity:	—	—	N-Channel
transistor type:	—	—	1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	—	—	250 V
vgs - gate-source voltage:	—	—	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	—	—	2.5 V
typical turn-off delay time:	—	—	60 ns
typical turn-on delay time:	—	—	21 ns
forward transconductance - min:	—	—	30 S