Сравнение

FQD18N20V2TM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 9,75А, 83Вт, DPAK
Цена 310
Информация о производителе
Основные
вес, г 0.36
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок TO-252-3
серия FQD18N20V2
длина 6.73 mm
время нарастания 133 ns
время спада 62 ns
pd - рассеивание мощности 2.5 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 15 A
rds вкл - сопротивление сток-исток 140 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 11 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 38 ns
типичное время задержки при включении 16 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль