Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805AT-E1 AS7805ADTR-G1 AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A BSS670S2LH6327XTSA, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 0,54А, 0,36Вт, SOT23
Цена 0 0 0 0 0 0 0 0 29
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 0.02
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 1000 2500
input voltage, max: 25 V 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Tube Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-220-3 TO-252-2
number of outputs 1 1 1
minimum operating temperature -40В°C -40 C -40 °C
maximum operating temperature 125В°C +125 C +125 °C
output type Fixed Fixed Fixed
output voltage 5V 3.3 V 5 V
output current 1A
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA 2.5uA 2.5µA
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole Surface Mount
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C 40 C 55 C
выходной ток 50мА 50 mA 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated Infineon Technologies
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3
серия AP7384 BSS670S2
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.21.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package SOT-23-3
длина 2.9 mm
время нарастания 25 ns
время спада 24 ns
series OptiMOSв„ў ->
pd - рассеивание мощности 360 mW
другие названия товара № BSS670S2L BSS67S2LH6327XT H6327 SP000928950
количество каналов 1 Channel
base product number BSS670 ->
технология Si
конфигурация Single
квалификация AEC-Q101
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 540 mA
qg - заряд затвора 1.7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 650 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 600 mS
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 21 ns
типичное время задержки при включении 9 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 540mA (Ta)
drain to source voltage (vdss) 55V
drive voltage (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 2.26nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 75pF @ 25V
power dissipation (max) 360mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 650mOhm @ 270mA, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 2V @ 2.7ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль