Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	BSS670S2LH6327XTSA, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 0,54А, 0,36Вт, SOT23
Цена	0 ₽	29 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Surface Mount	Surface Mount
number of outputs	1	—
максимальная рабочая температура	125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	-40 C	55 C
выходной ток	50мА	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—
package type	SOT-89	—
minimum operating temperature	-40 C	—
width	2.6mm	—
pin count	3+Tab	—
maximum operating temperature	+125 C	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—
максимальное входное напряжение	40В	—
тип выхода	фиксированный	—
output type	Fixed	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—
output voltage	3.3 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—
quiescent current	2.5uA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—
вес, г	—	0.02
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	3000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Infineon Technologies
упаковка / блок	—	SOT-23-3
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.21.0095
серия	—	BSS670S2
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	SOT-23-3
длина	—	2.9 mm
время нарастания	—	25 ns
время спада	—	24 ns
series	—	OptiMOSв„ў ->
pd - рассеивание мощности	—	360 mW
другие названия товара №	—	BSS670S2L BSS67S2LH6327XT H6327 SP000928950
количество каналов	—	1 Channel
base product number	—	BSS670 ->
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
квалификация	—	AEC-Q101
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	540 mA
qg - заряд затвора	—	1.7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	650 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	55 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1.2 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	600 mS
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	21 ns
типичное время задержки при включении	—	9 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	540mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	55V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	4.5V, 10V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	2.26nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	75pF @ 25V
power dissipation (max)	—	360mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	650mOhm @ 270mA, 10V
vgs (max)	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	2V @ 2.7ВµA