Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	IXFP72N20X3, Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 200В, 72А, 320Вт, TO220AB, 84с
Цена	1 470 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	3
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	HiPerFET
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-220
время нарастания	28 ns
время спада	11 ns
california prop 65	Warning Information
коммерческое обозначение	HiPerFET
series	HiPerFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности	320 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
technology	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	72 A
qg - заряд затвора	55 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	20 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	30 S
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	78 ns
типичное время задержки при включении	23 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	72A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	200V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	55nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	3780pF @ 25V
power dissipation (max)	320W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	20mOhm @ 36A, 10V
vgs (max)	В±20V
vgs(th) (max) @ id	4.5V @ 1.5mA