Сравнение

AS7805AT-E1 AS7805ADTR-G1 BSS126H6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,021А, 0,5Вт, SOT23
Цена 0 0 71
Информация о производителе
Основные
number of outputs 1
minimum operating temperature -40В°C
maximum operating temperature 125В°C
output type Fixed
factory pack quantity: factory pack quantity: 1000 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: Through Hole SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Tube Reel, Cut Tape, MouseReel
output voltage 5V
output current 1A
Вес и габариты
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
line regulation: 25 mV 25 mV
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
package / case: TO-220-3 TO-252-2
moisture sensitive: Yes
вес, г 0.8
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Surface Mount
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Infineon Technologies
упаковка / блок PG-SOT-23-3
eccn EAR99
htsus 8541.21.0095
серия BSS126
reach status REACH Unaffected
supplier device package SOT-23-3
длина 2.9 mm
время нарастания 9.7 ns
время спада 115 ns
series SIPMOSВ® ->
pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
другие названия товара № BSS126 BSS126H6327XT H6327 SP000919334
количество каналов 1 Channel
base product number BSS126 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 21 mA
qg - заряд затвора 1.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 700 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.7 V
канальный режим Depletion
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 8 mS
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 14 ns
типичное время задержки при включении 6.1 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 21mA (Ta)
drain to source voltage (vdss) 600V
drive voltage (max rds on, min rds on) 0V, 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 2.1nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 28pF @ 25V
power dissipation (max) 500mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 500Ohm @ 16mA, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 1.6V @ 8ВµA
fet feature Depletion Mode
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль