Сравнение

IXFH150N20T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 150А, 890Вт, TO247-3, 100нс
Цена 0 3 740
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 6
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 30
тип продукта MOSFET
торговая марка IXYS
упаковка Tube
упаковка / блок TO-247-3
серия IXFH150N20
коммерческое обозначение HiPerFET
pd - рассеивание мощности 890 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 150 A
qg - заряд затвора 177 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 15 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль