Сравнение

AS7805ADTR-G1 AP7384-33Y-13 C3M0065090D, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 900В, 36А, 125Вт, TO263-8
Цена 0 0 0 3 660
Информация о производителе
Основные
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole
number of outputs 1 1
максимальная рабочая температура 125 C
минимальная рабочая температура -40 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
minimum operating temperature -40 C -40 °C -55 C
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3
maximum operating temperature +125 C +125 °C +150 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
output type Fixed Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V 5 V
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вес, г 6.25
package / case TO-247-3
type Silicon Carbide MOSFET
factory pack quantity 30
manufacturer Cree, Inc.
mounting style Through Hole
packaging Tube
product category MOSFET
product type MOSFET
subcategory MOSFETs
configuration Single
fall time 25 ns
rise time 36 ns
number of channels 1 Channel
product Power MOSFET
technology SiC
pd - power dissipation 125 W
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 90 mOhms
transistor polarity N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 900 V
vgs - gate-source voltage 18 V, -8 V
id - continuous drain current 36 A
typical turn-on delay time 21 ns
typical turn-off delay time 28 ns
forward transconductance - min 11.6 S
qg - gate charge 30.4 nC
vgs th - gate-source threshold voltage 1.8 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль