Сравнение

	AP7384-33Y-13	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	C3M0065090D, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 900В, 36А, 125Вт, TO263-8
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	3 660 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	Through Hole	—	—
number of outputs	1	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	—	—
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—	—
выходной ток	50мА	—	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—	—
package type	SOT-89	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 C	-40 °C	—	-55 C
width	2.6mm	3.8mm	—	—
pin count	3+Tab	3	—	—
maximum operating temperature	+125 C	+125 °C	—	+150 C
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—	—
output type	Fixed	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—	—
output voltage	3.3 V	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	3.3 V	—	—
polarity	Positive	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	40 V	—	—
maximum output current	50mA	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—	—
quiescent current	2.5uA	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—	—
вес, г	—	—	—	6.25
package / case	—	—	—	TO-247-3
type	—	—	—	Silicon Carbide MOSFET
factory pack quantity	—	—	—	30
manufacturer	—	—	—	Cree, Inc.
mounting style	—	—	—	Through Hole
packaging	—	—	—	Tube
product category	—	—	—	MOSFET
product type	—	—	—	MOSFET
subcategory	—	—	—	MOSFETs
configuration	—	—	—	Single
fall time	—	—	—	25 ns
rise time	—	—	—	36 ns
number of channels	—	—	—	1 Channel
product	—	—	—	Power MOSFET
technology	—	—	—	SiC
pd - power dissipation	—	—	—	125 W
channel mode	—	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	—	90 mOhms
transistor polarity	—	—	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	900 V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	18 V, -8 V
id - continuous drain current	—	—	—	36 A
typical turn-on delay time	—	—	—	21 ns
typical turn-off delay time	—	—	—	28 ns
forward transconductance - min	—	—	—	11.6 S
qg - gate charge	—	—	—	30.4 nC
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	—	1.8 V