Сравнение

	AP7383-44W5-7	$C3M0030090K, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 63 А, 900 В, 0.03 Ом, TO-247 Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)The C3M0030090K is a silicon carbide power MOSFET using C3M MOSFET technology in 4 pin TO-247 package. It features 900V drain to source voltage and 63A continuous drain current at VGS = 15V, TC = 25˚C. Typical applications include solar inverters, EV battery chargers, High voltage DC/DC converters and switch mode power supplies. • Optimized package with separate driver source pin• 8mm of creepage distance between drain and source• High blocking voltage with low on-resistance• High-speed switching with low capacitances• Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)• Reduce switching losses and minimize gate ringing• Higher system efficiency Reduce cooling requirements• Increased power density and system switching frequency• Operating junction and storage temperature from -55 to +150˚C$ C3M0030090K, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 63 А, 900 В, 0.03 Ом, TO-247
Цена	0 ₽	7 440 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	8.67
максимальная рабочая температура	—	150 C
линейка продукции	—	C3M
количество выводов	—	4вывод(-ов)
channel type	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	149Вт
power dissipation	—	149Вт
напряжение истока-стока vds	—	900В
полярность транзистора	—	N Канал
стиль корпуса транзистора	—	TO-247
непрерывный ток стока	—	63А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	0.03Ом
напряжение измерения rds(on)	—	15В
пороговое напряжение vgs	—	2.4В
drain source on state resistance	—	0.03Ом
конфигурация моп-транзистора	—	Single
кол-во в упаковке	—	1