|
|
|
|
|
| Цена |
0 ₽
|
0 ₽
|
0 ₽
|
72 ₽
|
| Информация о производителе |
—
|
—
|
—
|
—
|
| Основные |
—
|
—
|
—
|
—
|
| вид монтажа |
SMD/SMT
|
Through Hole
|
—
|
—
|
| категория продукта |
LDO регуляторы напряжения
|
LDO регуляторы напряжения
|
—
|
—
|
| количество выходов |
1 Output
|
1 Output
|
—
|
—
|
| максимальная рабочая температура |
+ 125 C
|
+ 125 C
|
—
|
—
|
| минимальная рабочая температура |
40 C
|
40 C
|
—
|
—
|
| подкатегория |
PMIC - Power Management ICs
|
PMIC - Power Management ICs
|
—
|
—
|
| продукт |
LDO Voltage Regulators
|
LDO Regulators
|
—
|
—
|
| размер фабричной упаковки |
3000
|
2000
|
—
|
—
|
| тип продукта |
LDO Voltage Regulators
|
LDO Voltage Regulators
|
—
|
—
|
| торговая марка |
Diodes Incorporated
|
Diodes Incorporated
|
—
|
—
|
| упаковка / блок |
SOT-23-3
|
TO-92-3
|
—
|
—
|
| серия |
AP7384
|
—
|
—
|
—
|
| выходной ток |
50 mA
|
50 mA
|
—
|
—
|
| нестабильность выходной нагрузки |
0.5 %
|
0.5 %
|
—
|
—
|
| тип выхода |
Fixed
|
Fixed
|
—
|
—
|
| выходное напряжение |
7 V
|
7 V
|
—
|
—
|
| полярность |
Positive
|
Positive
|
—
|
—
|
| входное напряжение (макс.) |
40 V
|
40 V
|
—
|
—
|
| Вес и габариты |
—
|
—
|
—
|
—
|
| входное напряжение мин. |
3.3 V
|
3.3 V
|
—
|
—
|
| нестабильность выходного напряжения или тока |
0.05 %/V
|
0.05 %/V
|
—
|
—
|
| напряжение отпускания |
500 mV
|
500 mV
|
—
|
—
|
| подавление пульсаций питания - типич. |
60 dB
|
60 dB
|
—
|
—
|
| упаковка |
—
|
Ammo Pack
|
—
|
—
|
| moisture sensitivity level (msl) |
—
|
—
|
—
|
1 (Unlimited)
|
| mounting type |
—
|
—
|
—
|
Surface Mount
|
| operating temperature |
—
|
—
|
—
|
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
|
| package |
—
|
—
|
—
|
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
|
| package / case |
—
|
—
|
—
|
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
| rohs status |
—
|
—
|
—
|
ROHS3 Compliant
|
| eccn |
—
|
—
|
—
|
EAR99
|
| htsus |
—
|
—
|
—
|
8541.29.0095
|
| supplier device package |
—
|
—
|
—
|
SOT-23-3 (TO-236)
|
| series |
—
|
—
|
—
|
TrenchFETВ® ->
|
| base product number |
—
|
—
|
—
|
SI2301 ->
|
| technology |
—
|
—
|
—
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
| current - continuous drain (id) @ 25в°c |
—
|
—
|
—
|
3.1A (Tc)
|
| drain to source voltage (vdss) |
—
|
—
|
—
|
20V
|
| drive voltage (max rds on, min rds on) |
—
|
—
|
—
|
2.5V, 4.5V
|
| fet type |
—
|
—
|
—
|
P-Channel
|
| gate charge (qg) (max) @ vgs |
—
|
—
|
—
|
10nC @ 4.5V
|
| input capacitance (ciss) (max) @ vds |
—
|
—
|
—
|
405pF @ 10V
|
| power dissipation (max) |
—
|
—
|
—
|
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
|
| rds on (max) @ id, vgs |
—
|
—
|
—
|
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
|
| vgs (max) |
—
|
—
|
—
|
В±8V
|
| vgs(th) (max) @ id |
—
|
—
|
—
|
1V @ 250ВµA
|
| rds on - drain-source resistance |
—
|
—
|
—
|
112mО© @ 2.8A,4.5V
|
| transistor polarity |
—
|
—
|
—
|
P Channel
|
| vds - drain-source breakdown voltage |
—
|
—
|
—
|
20V
|
| vgs - gate-source voltage |
—
|
—
|
—
|
1V @ 250uA
|
| continuous drain current (id) @ 25в°c |
—
|
—
|
—
|
3.1A(Tc)
|
| power dissipation-max (ta=25в°c) |
—
|
—
|
—
|
1.6W(Tc)
|
