Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7383-44W5-7	SI2333CDS-T1-E3
Цена	0 ₽	0 ₽	94 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	—	—
number of outputs	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	—
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—
выходной ток	50мА	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—
package type	SOT-89	—	—
minimum operating temperature	-40 C	—	-55 C
width	2.6mm	—	—
pin count	3+Tab	—	3
maximum operating temperature	+125 C	—	+150 C
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—
output type	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—
output voltage	3.3 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—
quiescent current	2.5uA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—
вес, г	—	—	0.01
package / case	—	—	SOT-23-3
factory pack quantity	—	—	3000
manufacturer	—	—	Vishay
mounting style	—	—	SMD/SMT
packaging	—	—	Cut Tape or Reel
product category	—	—	MOSFET
product type	—	—	MOSFET
series	—	—	SI2
subcategory	—	—	MOSFETs
automotive	—	—	No
eu rohs	—	—	compliant
lead shape	—	—	Gull-wing
maximum operating temperature (°c)	—	—	150
mounting	—	—	surface mount
part status	—	—	NRND
pcb changed	—	—	3
ppap	—	—	No
standard package name	—	—	SOT
supplier package	—	—	SOT-23
eccn (us)	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	1250
minimum operating temperature (°c)	—	—	-55
configuration	—	—	Single
fall time	—	—	12 ns
rise time	—	—	35 ns
number of channels	—	—	1 Channel
process technology	—	—	TrenchFET
tradename	—	—	TrenchFET
number of elements per chip	—	—	1
channel type	—	—	P
part # aliases	—	—	SI2333CDS-E3
technology	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	2.5 W
channel mode	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	7.1
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	35 4.5V
maximum drain source voltage (v)	—	—	12
maximum gate source voltage (v)	—	—	±8
maximum gate threshold voltage (v)	—	—	1
typical fall time (ns)	—	—	12
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	15 4.5V|9 2.5V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	1225 6V
typical rise time (ns)	—	—	35
typical turn-off delay time (ns)	—	—	45
typical turn-on delay time (ns)	—	—	13
rds on - drain-source resistance	—	—	35 mOhms
transistor polarity	—	—	P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	12 V
vgs - gate-source voltage	—	—	4.5 V
id - continuous drain current	—	—	7.1 A
typical turn-on delay time	—	—	13 ns
typical turn-off delay time	—	—	45 ns
forward transconductance - min	—	—	18.5 S
qg - gate charge	—	—	15 nC
transistor type	—	—	1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	—	—	400 mV
typical output capacitance (pf)	—	—	315
typical gate to drain charge (nc)	—	—	3.8
typical gate to source charge (nc)	—	—	1.9
typical reverse recovery charge (nc)	—	—	20