Сравнение

SIRA18BDP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 40 А, 0.0055 Ом, PowerPAK SO, Surface Mou
Цена 0 110
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
максимальная рабочая температура 150 C
линейка продукции TrenchFET Gen IV
количество выводов 8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 1-Безлимитный
channel type N Channel
рассеиваемая мощность 17Вт
power dissipation 17Вт
напряжение истока-стока vds 30В
полярность транзистора N Канал
стиль корпуса транзистора PowerPAK SO
непрерывный ток стока 40А
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.0055Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs 2.4В
монтаж транзистора Surface Mount
drain source on state resistance 0.0055Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль