Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	SI8819EDB-T2-E1
Цена	0 ₽	140 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—
минимальная рабочая температура	40 C	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	3000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Vishay Semiconductors
упаковка	Ammo Pack	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	TO-92-3	MicroFoot-4
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Surface Mount
operating temperature	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	4-XFBGA
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.21.0095
supplier device package	—	4-MICRO FOOTВ® (0.8x0.8)
длина	—	1.6 mm
base product number	—	SI8819 ->
технология	—	Si
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	2.9A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	12V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	1.5V, 3.7V
fet type	—	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	17nC @ 8V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	650pF @ 6V
power dissipation (max)	—	900mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	80mOhm @ 1.5A, 3.7V
vgs (max)	—	В±8V
vgs(th) (max) @ id	—	900mV @ 250ВµA