Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIS862ADN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 52 А, 0.0057 Ом, PowerPAK 1212, Surface M
Цена	180 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	1
mounting type	Surface Mount
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET
package type	PowerPAK 1212-8
minimum operating temperature	-55 C
width	3.15mm
pin count	8
maximum operating temperature	+150 C
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты	—
number of elements per chip	1
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	39Вт
power dissipation	39Вт
напряжение истока-стока vds	60В
transistor configuration	Single
maximum drain source voltage	60 V
maximum gate source voltage	±20 V
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	PowerPAK 1212
непрерывный ток стока	52А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0057Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2.5В
maximum continuous drain current	52 A
maximum gate threshold voltage	2.5V
maximum drain source resistance	11 mΩ
channel mode	Enhancement
minimum gate threshold voltage	1V
maximum power dissipation	39 W
typical gate charge @ vgs	19.8 nC 10 V
forward diode voltage	1.1V
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.0057Ом