Сравнение

	AP7383-44W5-7	SISH410DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 35 А, 0.004 Ом, PowerPAK 1212, Surface Moun
Цена	0 ₽	190 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	1
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	3000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	—	PowerPAK1212-8
серия	—	SIS
время нарастания	—	15 ns
время спада	—	15 ns
коммерческое обозначение	—	TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности	—	52 W
количество каналов	—	1 Channel
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
id - непрерывный ток утечки	—	35 A
qg - заряд затвора	—	41 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	4.8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1.2 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	70 A
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	30 ns
типичное время задержки при включении	—	12 ns