Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805ADTR-G1 NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220] SI3457CDV-T1-E3, MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP] VFD015M21A (1,5kW 220V) Преобразователь частоты
Цена 0 0 0 130 200 120 11 150
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 2 0.02 1.95
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 2500 3000
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated Vishay
maximum operating temperature: +125 C +125 C +150 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C -55 C
mounting style: SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators MOSFET
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators MOSFET
series: AS7805 AS7805 SI3
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs MOSFETs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Reel, Cut Tape, MouseReel Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-252-2
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
артикул NCE3050-TO220 VFD015M21A
part # aliases: SI3457CDV-T1-BE3 SI3457CDV-E3
package/case: TSOP-6
tradename: TrenchFET
pd - power dissipation: 3 W
number of channels: 1 Channel
technology: Si
configuration: Single
channel mode: Enhancement
id - continuous drain current: 5.1 A
qg - gate charge: 15 nC
rds on - drain-source resistance: 74 mOhms
transistor polarity: P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage: 30 V
vgs - gate-source voltage: -20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage: 3 V
способ монтажа в отверстие
рабочая температура,с -55…+125
количество фаз 1
максимальное прямое напряжение,в 1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в 1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в 1000
при iпр.,а 1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а 2
максимальный обратный ток,мка 10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а 50
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль