Сравнение

SIRA54DP-T1-GE3, SIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - A
Цена 0 240
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок PowerPAK-SO-8
серия SIR
коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности 36.7 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 60 A
qg - заряд затвора 104 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 2.35 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль