Сравнение

SI4160DY-T1-GE3
Цена 0 410
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.187
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок SO-8
серия SI4
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 5.7 W
другие названия товара № SI4160DY-GE3
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 25.4 A
qg - заряд затвора 54 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 4.9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль