Сравнение

	SIS443DN-T1-GE3
Цена	480 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
Вес и габариты	—
rds on - drain-source resistance	11.7mО© @ 15A,10V
transistor polarity	P Channel
vds - drain-source breakdown voltage	40V
vgs - gate-source voltage	2.3V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	35A
power dissipation-max (ta=25в°c)	3.7W