Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	IRL520PBF
Цена	0 ₽	490 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	50
тип продукта	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Vishay / Siliconix
упаковка	Ammo Pack	Tube
упаковка / блок	TO-92-3	TO-220AB-3
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Through Hole
operating temperature	—	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	Tube
package / case	—	TO-220-3
rohs status	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
supplier device package	—	TO-220AB
длина	—	10.41 mm
время нарастания	—	64 ns
время спада	—	27 ns
pd - рассеивание мощности	—	60 W
количество каналов	—	1 Channel
base product number	—	IRL520 ->
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	—	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
id - непрерывный ток утечки	—	9.2 A
qg - заряд затвора	—	12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	270 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	3.2 S
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	21 ns
типичное время задержки при включении	—	9.8 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	9.2A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	100V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	4V, 5V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	12nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	490pF @ 25V
power dissipation (max)	—	60W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	270mOhm @ 5.5A, 5V
vgs (max)	—	В±10V
vgs(th) (max) @ id	—	2V @ 250ВµA