Сравнение

SQP50N06-09L_GE3
Цена 0 710
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 1.8
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 500
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок TO-220-3
серия SQ
время нарастания 11 ns
время спада 8 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 136 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
квалификация AEC-Q101
id - непрерывный ток утечки 50 A
qg - заряд затвора 72 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 7.1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 27 ns
типичное время задержки при включении 10 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль