Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70V-A IRFZ48RPBF
Цена 0 0 0 930
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C + 175 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C 55 C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа Through Hole Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 50
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Vishay Semiconductors
упаковка Ammo Pack Tube
упаковка / блок TO-92-3 TO-220-3
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-220-3
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия IRFZ
supplier device package TO-220AB
длина 10.41 mm
pd - рассеивание мощности 190 W
количество каналов 1 Channel
base product number IRFZ48 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
other related documents http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
id - непрерывный ток утечки 50 A
qg - заряд затвора 110 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 18 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c 50A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 60V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 110nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 2400pF @ 25V
power dissipation (max) 190W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 18mOhm @ 43A, 10V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 4V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль