Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	SUD50N06-09L-E3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 50 А, 0.0074 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mo
Цена	0 ₽	0 ₽	830 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	—	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	175 C
минимальная рабочая температура	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	—	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	Diodes Incorporated	—	—
упаковка / блок	SOT-23-3	—	—
серия	AP7384	—	—
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
вес, г	—	—	0.3
pin count	—	—	3
product category	—	—	Power MOSFET
количество выводов	—	—	3вывод(-ов)
automotive	—	—	No
eu rohs	—	—	Compliant with Exemption
maximum operating temperature (°c)	—	—	175
mounting	—	—	surface mount
part status	—	—	active
pcb changed	—	—	2
ppap	—	—	No
standard package name	—	—	TO-252
supplier package	—	—	DPAK
eccn (us)	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	8300
minimum operating temperature (°c)	—	—	-55
configuration	—	—	Single
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	—	MSL 1-Безлимитный
process technology	—	—	TMOS
number of elements per chip	—	—	1
channel type	—	—	N Channel
tab	—	—	Tab
рассеиваемая мощность	—	—	136Вт
power dissipation	—	—	136Вт
напряжение истока-стока vds	—	—	60В
полярность транзистора	—	—	N Канал
стиль корпуса транзистора	—	—	TO-252(DPAK)
непрерывный ток стока	—	—	50А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	0.0074Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	—	2В
channel mode	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	50
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	9.3 10V
maximum drain source voltage (v)	—	—	60
maximum gate source leakage current (na)	—	—	100
maximum gate source voltage (v)	—	—	±20
maximum gate threshold voltage (v)	—	—	3
maximum idss (ua)	—	—	1
typical fall time (ns)	—	—	20
typical gate charge @ 10v (nc)	—	—	47
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	47 10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	2650 25V
typical rise time (ns)	—	—	15
typical turn-off delay time (ns)	—	—	35
typical turn-on delay time (ns)	—	—	10
монтаж транзистора	—	—	Surface Mount
drain source on state resistance	—	—	0.0074Ом