Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AP7384-33Y-13 SIDR638DP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 100 А, 730 мкОм, PowerPAK SO, Surface Mou
Цена 0 0 450
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 3
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C 150 C
минимальная рабочая температура -40 C 55 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators TrenchFET Gen IV
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов) 8вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов MSL 1-Безлимитный
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок SO-8
серия SID
время нарастания 16 ns
время спада 19 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 125 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
channel type N Channel
рассеиваемая мощность 125Вт
power dissipation 125Вт
напряжение истока-стока vds 40В
id - непрерывный ток утечки 100 A
qg - заряд затвора 63 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.16 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.3 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 147 S
полярность транзистора N Канал
типичное время задержки выключения 43 ns
типичное время задержки при включении 70 ns
стиль корпуса транзистора PowerPAK SO
непрерывный ток стока 100А
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 730мкОм
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs 2.3В
монтаж транзистора Surface Mount
drain source on state resistance 730мкОм
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль