Сравнение

	SI2307CDS-T1-E3
Цена	67 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	SOT-23-3
серия	SI2
время нарастания	13 ns
время спада	7.7 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	1.8 W
другие названия товара №	SI2307CDS-E3
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	3.5 A
qg - заряд затвора	4.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	88 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	7 S
полярность транзистора	P-Channel
тип транзистора	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	17 ns
типичное время задержки при включении	5.5 ns