Сравнение

SISS66DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал + Шоттки, 30 В, 178.3 А, 0.00115 Ом, PowerPAK 1212,
Цена 320
Информация о производителе
Основные
вес, г 15
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок PowerPAK-1212-8
время нарастания 8 ns
время спада 8 ns
коммерческое обозначение PowerPAK
pd - рассеивание мощности 65.8 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 178.3 A
qg - заряд затвора 57 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.38 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 84 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 35 ns
типичное время задержки при включении 18 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль