Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7383-44W5-7	SISH129DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 35 А, 0.0095 Ом, PowerPAK 1212, Surface M
Цена	0 ₽	200 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	3
максимальная рабочая температура	—	150 C
линейка продукции	—	TrenchFET
количество выводов	—	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	MSL 1-Безлимитный
channel type	—	P Channel
рассеиваемая мощность	—	52.1Вт
power dissipation	—	52.1Вт
напряжение истока-стока vds	—	30В
полярность транзистора	—	P Канал
стиль корпуса транзистора	—	PowerPAK 1212
непрерывный ток стока	—	35А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	0.0095Ом
напряжение измерения rds(on)	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	2.8В
монтаж транзистора	—	Surface Mount
drain source on state resistance	—	0.0095Ом