Сравнение

SIS407DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 25 А, 0.0082 Ом, PowerPAK 1212, Surface Moun
Цена 0 200
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 2
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок PowerPAK-1212-8
серия SIS
длина 3.3 mm
время нарастания 28 ns
время спада 38 ns
коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности 33 W
другие названия товара № SIS407DN-GE3
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 25 A
qg - заряд затвора 38 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 9.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 400 mV
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 60 S
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
типичное время задержки выключения 92 ns
типичное время задержки при включении 23 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль