Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	SIS890DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 30 А, 0.0195 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mou
Цена	0 ₽	300 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—
минимальная рабочая температура	40 C	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—
торговая марка	Diodes Incorporated	—
упаковка	Ammo Pack	—
упаковка / блок	TO-92-3	—
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
вес, г	—	0.09
factory pack quantity: factory pack quantity:	—	3000
manufacturer:	—	Vishay
maximum operating temperature:	—	+150 C
minimum operating temperature:	—	-55 C
mounting style:	—	SMD/SMT
product category:	—	MOSFET
product type:	—	MOSFET
series:	—	SIS
subcategory:	—	MOSFETs
packaging:	—	Reel, Cut Tape, MouseReel
part # aliases:	—	SIS890DN-GE3
package/case:	—	PowerPAK-1212-8
tradename:	—	TrenchFET
pd - power dissipation:	—	52 W
number of channels:	—	1 Channel
technology:	—	Si
configuration:	—	Single
channel mode:	—	Enhancement
id - continuous drain current:	—	30 A
qg - gate charge:	—	29 nC
rds on - drain-source resistance:	—	19.5 mOhms
transistor polarity:	—	N-Channel
transistor type:	—	1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	—	100 V
vgs - gate-source voltage:	—	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	—	1.5 V
typical turn-off delay time:	—	16 ns
typical turn-on delay time:	—	10 ns
forward transconductance - min:	—	25 S