Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIR112DP-T1-RE3
Цена	430 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	PowerPAK-SO-8
серия	SIR
время нарастания	27 ns
время спада	10 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности	62.5 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	133 A
qg - заряд затвора	59 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.96 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
vgs - напряжение затвор-исток	10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	151 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	28 ns
типичное время задержки при включении	15 ns