Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	SI4459BDY-T1-GE3
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	360 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	—	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	—	2500
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	—	SO-8
серия	AP7384	—	—	—
выходной ток	50 mA	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—	—
полярность	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	Ammo Pack	—	—
время нарастания	—	—	—	6 ns
время спада	—	—	—	10 ns
линейка продукции	—	—	—	TrenchFET Gen IV
количество выводов	—	—	—	8вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	—	—	—	5.6 W
количество каналов	—	—	—	1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	—	—	MSL 1-Безлимитный
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Single
channel type	—	—	—	P Channel
рассеиваемая мощность	—	—	—	5.6Вт
power dissipation	—	—	—	5.6Вт
напряжение истока-стока vds	—	—	—	30В
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	27.8 A
qg - заряд затвора	—	—	—	56 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	4.6 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	1 V
канальный режим	—	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	—	81 S
полярность транзистора	—	—	—	P-Channel
тип транзистора	—	—	—	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	39 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	15 ns
стиль корпуса транзистора	—	—	—	SOIC
непрерывный ток стока	—	—	—	27.8А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	—	0.0041Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	—	—	2.2В
монтаж транзистора	—	—	—	Surface Mount
drain source on state resistance	—	—	—	0.0041Ом