Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7383-44W5-7	SI4459BDY-T1-GE3
Цена	0 ₽	360 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	2500
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	—	SO-8
время нарастания	—	6 ns
время спада	—	10 ns
линейка продукции	—	TrenchFET Gen IV
количество выводов	—	8вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	—	5.6 W
количество каналов	—	1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	MSL 1-Безлимитный
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
channel type	—	P Channel
рассеиваемая мощность	—	5.6Вт
power dissipation	—	5.6Вт
напряжение истока-стока vds	—	30В
id - непрерывный ток утечки	—	27.8 A
qg - заряд затвора	—	56 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	4.6 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	81 S
полярность транзистора	—	P-Channel
тип транзистора	—	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	—	39 ns
типичное время задержки при включении	—	15 ns
стиль корпуса транзистора	—	SOIC
непрерывный ток стока	—	27.8А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	0.0041Ом
напряжение измерения rds(on)	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	2.2В
монтаж транзистора	—	Surface Mount
drain source on state resistance	—	0.0041Ом