Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	IRF9Z24PBF
Цена	0 ₽	0 ₽	640 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	—
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	50
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	—
серия	AP7384	—	IRF9Z
выходной ток	50 mA	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—
полярность	Positive	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—
упаковка	—	Ammo Pack	Tube
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	—	Through Hole
operating temperature	—	—	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	—	Tube
package / case	—	—	TO-220-3
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.29.0095
supplier device package	—	—	TO-220AB
pin count	—	—	3
product category	—	—	Power MOSFET
automotive	—	—	No
eu rohs	—	—	compliant
lead shape	—	—	Through Hole
maximum operating temperature (°c)	—	—	175
mounting	—	—	Through Hole
part status	—	—	active
pcb changed	—	—	3
standard package name	—	—	TO-220
supplier package	—	—	TO-220AB
base product number	—	—	IRF9 ->
eccn (us)	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	60000
minimum operating temperature (°c)	—	—	-55
configuration	—	—	Single
hts	—	—	8541.10.00.80
package height	—	—	9.01(Max)
package length	—	—	10.41(Max)
package width	—	—	4.7(Max)
технология	—	—	Si
number of elements per chip	—	—	1
channel type	—	—	P
technology	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	—	—	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
tab	—	—	Tab
channel mode	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	11
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	280@10V
maximum drain source voltage (v)	—	—	60
maximum gate source voltage (v)	—	—	±20
typical fall time (ns)	—	—	29
typical gate charge @ 10v (nc)	—	—	19(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	19(Max)@10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	570@25V
typical rise time (ns)	—	—	68
typical turn-off delay time (ns)	—	—	15
typical turn-on delay time (ns)	—	—	13
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	11A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	—	60V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	10V
fet type	—	—	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	19nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	570pF @ 25V
power dissipation (max)	—	—	60W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	280mOhm @ 6.6A, 10V
vgs (max)	—	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	—	4V @ 250ВµA
military	—	—	No