Сравнение

SIHP6N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 5 А, 0.826 Ом, TO-220AB, Through Hole
Цена 360
Информация о производителе
Основные
вес, г 1
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Through Hole
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-220-3
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package TO-220AB
series E ->
Вес и габариты
technology MOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c 5A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 800V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 22.5nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 422pF @ 100V
power dissipation (max) 62.5W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 950mOhm @ 2A, 10V
vgs (max) В±30V
vgs(th) (max) @ id 4V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль