Сравнение

AS7805AT-E1 IRLD110PBF
Цена 0 0 0 580
Информация о производителе
Основные
number of outputs 1 1
minimum operating temperature -40В°C -40 °C
maximum operating temperature 125В°C +125 °C
output type Fixed Fixed
factory pack quantity: factory pack quantity: 1000
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: Through Hole
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Tube
output voltage 5V 5 V
output current 1A
Вес и габариты
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA 2.5µA
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
line regulation: 25 mV
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
package / case: TO-220-3
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Through Hole
package type TO-92
width 3.8mm
pin count 3
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
regulator type Low Dropout Voltage
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case 4-DIP (0.300"", 7.62mm)
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка Tube
упаковка / блок DIP-4
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
время нарастания 4.7 ns
время спада 17 ns
pd - рассеивание мощности 1.3 W
количество каналов 1 Channel
base product number IRLD110 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 1 A
qg - заряд затвора 6.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 540 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 1.3 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 16 ns
типичное время задержки при включении 9.3 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 1A (Ta)
drain to source voltage (vdss) 100V
drive voltage (max rds on, min rds on) 4V, 5V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 6.1nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 250pF @ 25V
power dissipation (max) 1.3W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 540mOhm @ 600mA, 5V
vgs (max) В±10V
vgs(th) (max) @ id 2V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль