Сравнение

SIR106ADP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 65.8 А, 0.0066 Ом, PowerPAK SO, Surface Mo
Цена 0 340
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.123
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок PowerPAK-SO-8
время нарастания 7 ns, 8 ns
время спада 6 ns, 7 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 83.3 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 65.8 A
qg - заряд затвора 26.5 nC, 34.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 72 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора N - Channel
типичное время задержки выключения 22 ns, 25 ns
типичное время задержки при включении 15 ns, 18 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль