Сравнение

SI7613DN-T1-GE3
Цена 0 0 340
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вес, г 0.2133
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 50 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок PowerPAK-1212-8
серия SI7
длина 3.3 mm
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 52.1 W
другие названия товара № SI7613DN-GE3
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 35 A
qg - заряд затвора 87 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 14 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора P-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль