Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A SI7613DN-T1-GE3
Цена 0 0 0 0 0 340
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole
number of outputs 1 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C 40 C 50 C
выходной ток 50мА 50 mA 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
minimum operating temperature -40 C -40 °C
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3
maximum operating temperature +125 C +125 °C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed Fixed
output type Fixed Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V 5 V
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated Vishay Semiconductors
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 PowerPAK-1212-8
серия AP7384 SI7
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack
вес, г 0.2133
длина 3.3 mm
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 52.1 W
другие названия товара № SI7613DN-GE3
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 35 A
qg - заряд затвора 87 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 14 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора P-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль