Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SI7613DN-T1-GE3
Цена	340 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.2133
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	50 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	PowerPAK-1212-8
серия	SI7
длина	3.3 mm
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	52.1 W
другие названия товара №	SI7613DN-GE3
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	35 A
qg - заряд затвора	87 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	14 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	16 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	P-Channel