Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIHH11N60E-T1-GE3
Цена	940 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	PowerPAK-4
серия	E
длина	8 mm
время нарастания	21 ns
время спада	21 ns
pd - рассеивание мощности	114 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	11 A
qg - заряд затвора	31 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	295 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	39 ns
типичное время задержки при включении	16 ns